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IRFB4228PBF  与  PSMN030-150P,127  区别

型号 IRFB4228PBF PSMN030-150P,127
唯样编号 A-IRFB4228PBF A-PSMN030-150P,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 330 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@33A,10V -
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 250W
输出电容 - 470pF
栅极电压Vgs ±30V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -40°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 83A 55.5A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4530pF @ 25V -
输入电容 - 3680pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 107nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 30mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4530pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 107nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥17.6552
50+ :  ¥14.4715
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4228PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
PSMN030-150P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN030-150P_SOT78

¥17.6552 

阶梯数 价格
20: ¥17.6552
50: ¥14.4715
0 对比
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78

¥14.339 

阶梯数 价格
20: ¥14.339
50: ¥11.7533
0 对比

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