IRFB4310ZPBF 与 STP180N10F3 区别
| 型号 | IRFB4310ZPBF | STP180N10F3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB4310ZPBF | A3-STP180N10F3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | MOSFET N-CH 100V 120A TO220 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 250W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 127A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6860pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6860pF @ 50V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 6mΩ@75A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
STP100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||
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|
STP180N10F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||
|
|
STP180N10F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
STP100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 5.6mΩ@10V 306W 175°C 3V 100V 100A |
￥23.8698
|
0 | 对比 |
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