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IRFB4321PBF  与  IRFB52N15DPBF  区别

型号 IRFB4321PBF IRFB52N15DPBF
唯样编号 A-IRFB4321PBF A-IRFB52N15DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 330 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@33A,10V 32mΩ@36A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 350W(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 85A 51A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4460pF @ 50V 2770pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 89nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4460pF @ 50V 2770pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 89nC @ 10V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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