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IRFB52N15DPBF  与  IRFB52N15D  区别

型号 IRFB52N15DPBF IRFB52N15D
唯样编号 A-IRFB52N15DPBF A-IRFB52N15D
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ@36A,10V 32mΩ
栅极电压Vgs ±30V 30V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 51A 60A
Ptot max - 320.0W
QG - 60.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2770pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 1.27
RthJC max - 0.47K/W
漏源极电压Vds 150V 150V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),230W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 28.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2770pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB52N15DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
PHP28NQ15T,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP28NQ15T_SOT78

¥11.0123 

阶梯数 价格
20: ¥11.0123
50: ¥9.0265
0 对比
PSMN030-150P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN030-150P_SOT78

¥17.6552 

阶梯数 价格
20: ¥17.6552
50: ¥14.4715
0 对比
IRFB52N15D Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

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