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IRFB7434PBF  与  IRFB7434GPBF  区别

型号 IRFB7434PBF IRFB7434GPBF
唯样编号 A-IRFB7434PBF A-IRFB7434GPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6mΩ@100A,10V 1.25mΩ
Qg-栅极电荷 - 324nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 211S
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 317A 317A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 6V,10V
下降时间 - 68ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250µA 3.9V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10820pF @ 25V 10820pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 294W(Tc) 294W
典型关闭延迟时间 - 115ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 10820pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 324nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 24ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 324nC @ 10V 324nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB7434PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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IRFB7434GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10mm

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