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IRFB7437PBF  与  SUP40010EL-GE3  区别

型号 IRFB7437PBF SUP40010EL-GE3
唯样编号 A-IRFB7437PBF A3t-SUP40010EL-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 2 mOhms HEX-Power Mosfet - TO-220 N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2mΩ@100A,10V 1.8 mOhms @ 30A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 375W(Tc)
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 250A 120A(Tc)
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7330pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 225nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7330pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 225nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB7437PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2mΩ@100A,10V N-Channel 40V 250A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
SUP40010EL-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

120A(Tc) N-Channel 1.8 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 40V

暂无价格 0 对比

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