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IRFBC40PBF  与  TK7E80W,S1X  区别

型号 IRFBC40PBF TK7E80W,S1X
唯样编号 A-IRFBC40PBF A-TK7E80W,S1X
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 1.2 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.7mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2Ω -
上升时间 18ns -
Qg-栅极电荷 60nC -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 700 pF @ 300 V
Vgs(th) - 4V @ 280uA
栅极电压Vgs 2V -
正向跨导 - 最小值 4.7S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 13 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C
连续漏极电流Id 6.2A 6.5A(Ta)
配置 Single -
长度 10.41mm -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 20ns -
高度 15.49mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V 800 V
Pd-功率耗散(Max) 125W 110W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 950 毫欧 @ 3.3A,10V
典型关闭延迟时间 55ns -
FET类型 - N-Channel
系列 IRFBC -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
典型接通延迟时间 13ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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