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IRFBE30PBF  与  BUZ80A  区别

型号 IRFBE30PBF BUZ80A
唯样编号 A-IRFBE30PBF A-BUZ80A
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.7 mm -
功率耗散(最大值) - 100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1350pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.1A -
长度 10.41 mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3 欧姆 @ 2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
高度 15.49 mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 125W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
系列 IRF -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.6A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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