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IRFH3707TRPBF  与  RQ3E100MNTB1  区别

型号 IRFH3707TRPBF RQ3E100MNTB1
唯样编号 A-IRFH3707TRPBF A3x-RQ3E100MNTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.8 W 5.4 nC SMT Hexfet Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.4mΩ@12A,10V 8.8mΩ
上升时间 - 17ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 9.9nC
栅极电压Vgs ±20V 2.5V
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PQFN(3x3) HSMT-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 12A 10A
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.1nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.1nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH3707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(3x3)

暂无价格 0 当前型号
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥4.1656 

阶梯数 价格
1: ¥4.1656
100: ¥2.4077
1,500: ¥1.5265
3,000: ¥1.1036
100 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 0 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 0 对比

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