IRFH5015TRPBF 与 SIR872ADP-T1-GE3 区别
| 型号 | IRFH5015TRPBF | SIR872ADP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFH5015TRPBF | A3t-SIR872ADP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 150 V 3.6 W 33 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | SIR872ADP Series N-Channel 150 V 18 mO 22.8 nC SMT MosFet - POWERPAKSO-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31mΩ@34A,10V | 18mΩ |
| 上升时间 | - | 12ns |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Ta),156W(Tc) | 104W |
| Qg-栅极电荷 | - | 31.3nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 15ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 30S |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | PQFN | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10A | 53.7A |
| 系列 | HEXFET® | SIR |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 150µA | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2300pF @ 50V | 1286pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | 47nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 7.5V,10V |
| 下降时间 | - | 7ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH5015TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),156W(Tc) 31mΩ@34A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN N-Channel 150V 10A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC360N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 53.7A 104W 18mΩ 150V 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 53.7A 104W 18mΩ 150V 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 53.7A 104W 18mΩ 150V 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
