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IRFH5300TRPBF  与  STL150N3LLH5  区别

型号 IRFH5300TRPBF STL150N3LLH5
唯样编号 A-IRFH5300TRPBF A-STL150N3LLH5
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 50 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm MOSFET N-CH 30V 195A POWERFLAT
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4mΩ@50A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),250W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 PQFN(5x6) PowerVDFN-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 40A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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