首页 > 商品目录 > > > > IRFH5302TRPBF代替型号比较

IRFH5302TRPBF  与  BSC016N03LSGATMA1  区别

型号 IRFH5302TRPBF BSC016N03LSGATMA1
唯样编号 A-IRFH5302TRPBF A-BSC016N03LSGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 29 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.1mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 10000pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 32A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 131nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.6 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),100W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 32A(Ta),100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5302TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
BSC016N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC016N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC016N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC016N03LSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
AON6506 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6756 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售