IRFH5304TRPBF 与 AON7522E 区别
| 型号 | IRFH5304TRPBF | AON7522E | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFH5304TRPBF | A-AON7522E | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5mΩ@47A,10V | 4mΩ@20A,10V | ||
| ESD Diode | - | Yes | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Ta),46W(Tc) | 31W | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-PQFN(5x6) | DFN 3x3 EP | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 22A | 34A | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2360pF @ 10V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2360pF @ 10V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.8864
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0 | 对比 | ||||
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AON6558 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 30A 24W 5.1mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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