IRFH5406TRPBF 与 SI7460DP-T1-GE3 区别
| 型号 | IRFH5406TRPBF | SI7460DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFH5406TRPBF | A-SI7460DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 3.6 W 23 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | Single N-Channel 60 V 9.6 mO 100 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.4mΩ@24A,10V | 9.6mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Ta),46W(Tc) | 1.9W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PQFN(5x6) | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 11A | 18A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 50µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1256pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | 100nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 50µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1256pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 25 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH5406TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 14.4mΩ@24A,10V N-Channel 60V 11A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI7460DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 11A(Ta) ±20V 1.9W(Ta) 9.6m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 60V 18A 9.6mΩ |
暂无价格 | 25 | 对比 |
|
|
SI7460DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 11A(Ta) ±20V 1.9W(Ta) 9.6m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 60V 18A 9.6mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
