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IRFH7440TRPBF  与  IRLH5034TRPBF  区别

型号 IRFH7440TRPBF IRLH5034TRPBF
唯样编号 A-IRFH7440TRPBF A-IRLH5034TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 104 W 92 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm Single N-Channel 40 V 3.2 mOhm 82 nC 3.6 W Silicon SMT Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@50A,10V 2.4mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc) 3.6W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PQFN(5x6) 8-PQFN(5x6)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 159A 29A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA 2.5V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4574pF @ 25V 4730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 138nC @ 10V 82nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4730pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 82nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH7440TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
IRLH5034TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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