IRFH8318TRPBF 与 RS1E240GNTB 区别
| 型号 | IRFH8318TRPBF | RS1E240GNTB | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-IRFH8318TRPBF | A33-RS1E240GNTB | ||||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.1mΩ@20A,10V | 3.3mΩ@24A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Ta),59W(Tc) | 3W(Ta),27.4W(Tc) | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | PQFN(5x6) | 8-PowerTDFN | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 27A | 24A(Ta) | ||||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3180pF @ 10V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3180pF @ 10V | 1500pF @ 15V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | 23nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,300 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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IRFH8318TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),59W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.1mΩ@20A,10V N-Channel 30V 27A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥6.5257
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥6.5257
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2,300 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥10.417
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100 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||||||
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SIR820DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 3 mOhms @ 15A,10V 37.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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