IRFHM830TRPBF 与 SISA12ADN-T1-GE3 区别
| 型号 | IRFHM830TRPBF | SISA12ADN-T1-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-IRFHM830TRPBF | A36-SISA12ADN-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 6 mO 15 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.8mΩ@20A,10V | 4.3 mOhms @ 10A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.7W(Ta),37W(Tc) | 3.5W(Ta),28W(Tc) | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | PQFN(3x3) | PowerPAK® 1212-8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 21A | 25A(Tc) | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2155pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 31nC @ 10V | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2155pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 31nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 27,212 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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IRFHM830TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.7W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.8mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥4.5038
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
￥1.6082
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27,212 | 对比 | ||||||||||||||
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SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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