IRFL014NTRPBF 与 DMN6068SE-13 区别
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规格信息
型号	IRFL014NTRPBF	DMN6068SE-13
唯样编号	A-IRFL014NTRPBF	A-DMN6068SE-13
制造商	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223	N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表	IRFL014NTRPBF.pdf	DMN6068SE-13.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	160mΩ@1.9A,10V	68mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds	55V	60V
Pd-功率耗散(Max)	1W(Ta)	2W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SOT-223	SOT-223
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	2.7A	5.6A
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	190pF @ 25V	502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	11nC @ 10V	10.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	190pF @ 25V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	11nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRFL014NTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 160mΩ@1.9A,10V N-Channel 55V 2.7A SOT-223	暂无价格	0	当前型号
STN3NF06L	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A	暂无价格	4,000	对比
STN3NF06L	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A	暂无价格	0	对比
STN3NF06L	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A	暂无价格	0	对比
DMN6068SE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A	暂无价格	0	对比
DMN6068SE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A	暂无价格	0	对比