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IRFL9014TRPBF  与  BSP315PH6327XTSA1  区别

型号 IRFL9014TRPBF BSP315PH6327XTSA1
唯样编号 A-IRFL9014TRPBF A-BSP315PH6327XTSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 500mΩ -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),3.1W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-223-3 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.8A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 160uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.8nC @ 10V
系列 IRF -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 800 毫欧 @ 1.17A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.17A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFL9014TRPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

SOT-223-3

暂无价格 0 当前型号
BSP315PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP315P H6327_TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 对比
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

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BSP315P H6327 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP315PH6327XTSA1_6.5mm SOT-223

暂无价格 0 对比

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