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IRFP4110PBF  与  IRFB4110PBF  区别

型号 IRFP4110PBF IRFB4110PBF
唯样编号 A-IRFP4110PBF A3-IRFB4110PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 150 nC/ Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 5.31mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 370W 370W(Tc)
Qg-栅极电荷 150nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 180A 180A
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9620pF @ 50V 9620pF @ 50V
长度 15.87mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9620pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V -
高度 20.7mm -
库存与单价
库存 400 1,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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