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IRFP4227PBF  与  IRFP250N  区别

型号 IRFP4227PBF IRFP250N
唯样编号 A-IRFP4227PBF A-IRFP250N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 330 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 5.31mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ 75mΩ
上升时间 20ns -
Qg-栅极电荷 70nC -
栅极电压Vgs 30V 20V
正向跨导 - 最小值 49S -
封装/外壳 TO-247AC TO-247
工作温度 -40°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 65A 30A
配置 Single -
Ptot max - 214.0W
长度 15.87mm -
QG - 82.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 31ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V -
高度 20.7mm -
Budgetary Price €€/1k - 0.77
RthJC max - 0.7K/W
漏源极电压Vds 200V 200V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 330W -
典型关闭延迟时间 21ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 38.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
典型接通延迟时间 33ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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