IRFP4321PBF 与 SUG80050E-GE3 区别
| 型号 | IRFP4321PBF | SUG80050E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFP4321PBF | A-SUG80050E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.5mΩ@33A,10V | 4.5mΩ |
| 上升时间 | - | 44ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 165nC |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 2V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | 10V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 60S |
| 封装/外壳 | TO-247AC | TO-247 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 78A | 100A |
| 配置 | - | Single |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 7.5V,10V |
| 下降时间 | - | 55ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4460pF | 6250pF |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 310W(Tc) | 500W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | 75V |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4460pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | - |
| 电压 | - | 150V |
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC | 165nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4321PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 310W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.5mΩ@33A,10V N-Channel 150V 78A TO-247AC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
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IRFP3415PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@22A,10V N-Channel 150V 43A TO-247AC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUG80050E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 100A 4.5mΩ 150V 2V TO-247 500W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SUG80050E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 100A 4.5mΩ 150V 2V TO-247 500W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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