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IRFP4468PBF  与  IRFP4410ZPBF  区别

型号 IRFP4468PBF IRFP4410ZPBF
唯样编号 A-IRFP4468PBF A-IRFP4410ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 230 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ@180A,10V 9mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 520W 230W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 290A 97A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 19860pF @ 50V 4820pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 540nC @ 10V 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 400 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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