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IRFP460PBF  与  IRFP460PBF  区别

型号 IRFP460PBF IRFP460PBF
唯样编号 A-IRFP460PBF A-IRFP460PBF-1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 500 V 0.27 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247 MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 280W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 270mΩ -
上升时间 59ns -
Qg-栅极电荷 210nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4200pF @ 25V
栅极电压Vgs 2V -
正向跨导 - 最小值 13S -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 270 毫欧 @ 12A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 58ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 280W -
典型关闭延迟时间 110ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
系列 IRFP -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 500V
典型接通延迟时间 18ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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