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IRFP4668PBF  与  IRFP4227PBF  区别

型号 IRFP4668PBF IRFP4227PBF
唯样编号 A-IRFP4668PBF A3-IRFP4227PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 330 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.31mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.7mΩ@81A,10V 25mΩ
上升时间 - 20ns
Qg-栅极电荷 - 70nC
栅极电压Vgs ±30V 30V
正向跨导 - 最小值 - 49S
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -40°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A 65A
配置 - Single
长度 - 15.87mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 31ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10720pF @ 50V 4600pF @ 25V
高度 - 20.7mm
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 520W(Tc) 330W
典型关闭延迟时间 - 21ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 10720pF @ 50V 4600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 241nC @ 10V 98nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 33ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 241nC @ 10V 98nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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