IRFPE50PBF 与 MTW7N80E 区别
| 型号 | IRFPE50PBF | MTW7N80E |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFPE50PBF | A3t-MTW7N80E |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Single N-Channel 800 V 1.2 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.31mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω | - |
| 上升时间 | 38ns | - |
| 漏源极电压Vds | 800V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 190W | - |
| Qg-栅极电荷 | 200nC | - |
| 栅极电压Vgs | 2V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 120ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 5.6S | - |
| 封装/外壳 | TO-247AC-3 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 7.8A | - |
| 系列 | IRFPE | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3100pF @ 25V | - |
| 长度 | 15.87mm | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 200nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | 39ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 19ns | - |
| 高度 | 20.82mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFPE50PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 7.8A 190W 1.2Ω 800V 2V TO-247AC-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STW9N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STW9N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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MTW7N80E | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FQAF13N80 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
120W(Tc) 750m Ohms@4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8A N-Channel 800V 8A(Tc) ±30V 750 毫欧 @ 4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-3PF SC-94 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
