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IRFR024NTRLPBF  与  AOD444  区别

型号 IRFR024NTRLPBF AOD444
唯样编号 A-IRFR024NTRLPBF A-AOD444
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 27
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@10A,10V 60mΩ@12A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 85mΩ
Qgd(nC) - 1.9
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 4.2
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 17A 12A
Ciss(pF) - 450
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 370pF @ 25V -
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 16
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 20W
Qrr(nC) - 30
VGS(th) - 3
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 370pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
Coss(pF) - 61
Qg*(nC) - 3.8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D-Pak

暂无价格 0 当前型号
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