IRFR1010ZTRLPBF 与 RD3L08BGNTL 区别
| 型号 | IRFR1010ZTRLPBF | RD3L08BGNTL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR1010ZTRLPBF | A-RD3L08BGNTL |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5mΩ@42A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | 119W(Tc) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 5.5mOhms@80A,10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V@100uA |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252-3 |
| 连续漏极电流Id | 42A(Tc) | 80A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 栅极电荷Qg | - | 71nC@10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2840pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IRFR1010ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 42A(Tc) ±20V 140W(Tc) 7.5mΩ@42A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RD3L08BGNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 60V |
￥21.3401
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1,444 | 对比 | ||||||||||||||||
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RD3L08BGNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 60V |
￥21.3401
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1,217 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFR1010ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@42A,10V N-Channel 55V 91A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RD3L08BGNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SUD50N06-09L-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 60V 50A 9.3mΩ@20A,10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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