尊敬的客户:五一劳动节5-1至5-3我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > IRFR1018ETRPBF代替型号比较

IRFR1018ETRPBF  与  AOD2610  区别

型号 IRFR1018ETRPBF AOD2610
唯样编号 A-IRFR1018ETRPBF A-AOD2610
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V 10.7mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 71.5W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak TO252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 79A 46A
系列 HEXFET® AOD
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V 2410pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1018ETRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比
IPD90N06S4L05ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD088N06N3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD088N06N3 G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD088N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD088N06N3GBTMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IPD079N06L3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD079N06L3 G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售