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IRFR120NTRLPBF  与  IRFR120NTRPBF  区别

型号 IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRPBF
唯样编号 A-IRFR120NTRLPBF A3-IRFR120NTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 210mΩ@5.6A,10V 210mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) 48W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 9.4A 9.4A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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