IRFR120NTRPBF 与 IRFR120ZPBF 区别
| 型号 | IRFR120NTRPBF | IRFR120ZPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR120NTRPBF | A-IRFR120ZPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | Single N-Channel 100 V 35 W 6.9 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 210mΩ@5.6A,10V | 190mΩ@5.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 48W | 35W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | D-Pak |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 9.4A | 8.7A |
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 310pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 |
|
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
|
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 210mΩ@5.6A,10V N-Channel 100V 9.4A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFR120ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 35W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 190mΩ@5.2A,10V N-Channel 100V 8.7A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 89W 175°C 3V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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