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IRFR120ZTRPBF  与  RSD050N10TL  区别

型号 IRFR120ZTRPBF RSD050N10TL
唯样编号 A-IRFR120ZTRPBF A-RSD050N10TL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 IRFR120Z Series 100 V 8.7 A 190 mOhm SMT HEXFET® Power MOSFET - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@5.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 10V -
Pd-功率耗散(Max) 35W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-253-2 CPT3
工作温度 -55°C~175°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1,250: ¥4.6357
2,500: ¥4.2529
0 对比

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