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IRFR24N15DTRPBF  与  AOD4454  区别

型号 IRFR24N15DTRPBF AOD4454
唯样编号 A-IRFR24N15DTRPBF A-AOD4454
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 22 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs 95mΩ@14A,10V 94mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 110mΩ
Qgd(nC) - 4.4
栅极电压Vgs ±30V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 10.5
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 24A 20A
Ciss(pF) - 820
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 32.5
Td(off)(ns) - 14.5
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 100W
Qrr(nC) - 230
VGS(th) - 4.6
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
Coss(pF) - 70
Qg*(nC) - 15*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
510+ :  ¥4.2257
1,000+ :  ¥3.3047
2,500+ :  ¥2.5777
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阶梯数 价格
510: ¥4.2257
1,000: ¥3.3047
2,500: ¥2.5777
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