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IRFR3410TRPBF  与  IPD35N10S3L26ATMA1  区别

型号 IRFR3410TRPBF IPD35N10S3L26ATMA1
唯样编号 A-IRFR3410TRPBF A-IPD35N10S3L26ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - TO-252 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@18A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 31A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 24 毫欧 @ 35A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1690pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),110W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 39uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1690pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 35A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
BUK7240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7240-100A_SOT428

¥10.2467 

阶梯数 价格
490: ¥10.2467
1,000: ¥7.9432
1,250: ¥6.5108
2,500: ¥5.9732
0 对比
IPD35N10S3L-26 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L26ATMA1_6.5mm

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490: ¥10.2467
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1,250: ¥6.5108
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IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IRFR3410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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