首页 > 商品目录 > > > > IRFR3710ZTRPBF代替型号比较

IRFR3710ZTRPBF  与  NVD5117PLT4G-VF01  区别

型号 IRFR3710ZTRPBF NVD5117PLT4G-VF01
唯样编号 A-IRFR3710ZTRPBF A3-NVD5117PLT4G-VF01
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@33A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-252-3 TO252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 56A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3710ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR3411TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售