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IRFR3910TRPBF  与  IRFR3910TRLPBF  区别

型号 IRFR3910TRPBF IRFR3910TRLPBF
唯样编号 A-IRFR3910TRPBF A-IRFR3910TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.115 Ohm 44 nC 79 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@10A,10V 115mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 16A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
IRFR3910TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.4011 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.4011
0 对比
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7275-100A_SOT428

¥7.2957 

阶梯数 价格
490: ¥7.2957
1,000: ¥5.6556
1,250: ¥4.6357
2,500: ¥4.2529
0 对比

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