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IRFR420APBF  与  IPD50R3K0CEAUMA1  区别

型号 IRFR420APBF IPD50R3K0CEAUMA1
唯样编号 A-IRFR420APBF A-IPD50R3K0CEAUMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFR420A Series N-Channel 500 V 0.3 Ohm 83 W Power Mosfet - DPAK (TO-252) MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 26W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3Ω@1.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 83W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 84pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.3A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 30uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.3nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3 欧姆 @ 400mA,13V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 13V
漏源电压(Vdss) - 500V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR420APBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
STD3NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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STD3NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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TK3P50D,RQ(S Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

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AOD3N50_002 AOS 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

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IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50R3K0CE_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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