首页 > 商品目录 > > > > IRFR4615TRLPBF代替型号比较

IRFR4615TRLPBF  与  IRFR18N15DTRLP  区别

型号 IRFR4615TRLPBF IRFR18N15DTRLP
唯样编号 A-IRFR4615TRLPBF A-IRFR18N15DTRLP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC 144 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@21A,10V 125mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 33A 18A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 43nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR4615TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IRFR18N15DTRRP Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR13N15DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L-26 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L26ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N10S3L-34_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售