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IRFR6215TRPBF  与  DMP10H400SK3-13  区别

型号 IRFR6215TRPBF DMP10H400SK3-13
唯样编号 A-IRFR6215TRPBF A-DMP10H400SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 150 V 0.58 Ohm 66 nC 110 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 295mΩ@6.6A,10V 240mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 150V 100V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 42W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 9A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V 1239pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V 17.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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12,500: ¥1.1532
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