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IRFR7540TRPBF  与  IRFR7540TRLPBF  区别

型号 IRFR7540TRPBF IRFR7540TRLPBF
唯样编号 A-IRFR7540TRPBF A-IRFR7540TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFR7540 Series 60 V 90 A 4.8 mOhm HEXFET® Power MOSFET - TO-252-3 (DPAK) IRFR7540TRLPBF Series 60 V 90 A 4.8 mOhm N-Channel HEXFET Power MOSFET -DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8mΩ@66A,10V 4.8mΩ@66A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-PAK(TO-252AA) D-PAK(TO-252AA)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 110A
系列 StrongIRFET™ HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 100µA 3.7V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4360pF @ 25V 4360pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4360pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR7540TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-PAK(TO-252AA)

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IRFR7540TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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