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IRFR9024PBF  与  SPD09P06PLGBTMA1  区别

型号 IRFR9024PBF SPD09P06PLGBTMA1
唯样编号 A-IRFR9024PBF A-SPD09P06PLGBTMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 280mΩ@5.3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.8A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 21nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 250 毫欧 @ 6.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
零件状态 在售 -
类别 分立半导体产品 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),42W(Tc) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 25V -
小类别 晶体管 - FET,MOSFET - 单 -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.7A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9024PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
SPD09P06PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD09P06PL G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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D-Pak

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