首页 > 商品目录 > > > > IRFR9120TRPBF代替型号比较

IRFR9120TRPBF  与  IRFR9120NPBF  区别

型号 IRFR9120TRPBF IRFR9120NPBF
唯样编号 A-IRFR9120TRPBF A-IRFR9120NPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 Single P-Channel 100 V 40 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600 mOhms @ 3.4A,10V 480mΩ@3.9A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W,42W 40W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 5.6A(Tc) 6.6A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9120TRPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.6A(Tc) P-Channel 600 mOhms @ 3.4A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 当前型号
IRFR9120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

480mΩ@3.9A,10V ±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 6.6A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR9120NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@3.9A,10V P-Channel 100V 6.6A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR9120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@3.9A,10V P-Channel 100V 6.6A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR9120TR/L ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售