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IRFS3006TRLPBF  与  PSMN1R7-60BS,118  区别

型号 IRFS3006TRLPBF PSMN1R7-60BS,118
唯样编号 A-IRFS3006TRLPBF A-PSMN1R7-60BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@170A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 306W
输出电容 - 1210pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 270A 120A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
输入电容 - 9997pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥20.0457
400+ :  ¥16.9879
800+ :  ¥15.5852
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D2PAK

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