IRFS3206TRRPBF 与 AOB66616L 区别
| 型号 | IRFS3206TRRPBF | AOB66616L | ||||||
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| 唯样编号 | A-IRFS3206TRRPBF | A36-AOB66616L | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 300W(Tc) | 125W | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 210A | 140A | ||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6540pF @ 50V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6540pF @ 50V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 3mΩ@75A,10V | 3.2mΩ@20A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 800 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRFS3206TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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AOB66616L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 125W 3.2mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥6.54
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800 | 对比 | ||||||||
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AOB266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V |
￥3.7464
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314 | 对比 | ||||||||
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PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 3.6mΩ@10V 230W 175°C 3V 60V 75A |
￥17.2514
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0 | 对比 | ||||||||
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IPB029N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOB266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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