IRFS3607TRLPBF 与 PSMN012-80BS,118 区别
| 型号 | IRFS3607TRLPBF | PSMN012-80BS,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS3607TRLPBF | A3t-PSMN012-80BS,118 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 | MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 9.25mm | - |
| Qg-栅极电荷 | 56nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | 3V |
| 封装/外壳 | D2PAK | SOT404 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 80A | 74A |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10mm | - |
| 输入电容 | - | 2782pF |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3070pF @ 50V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 7.34mΩ | 11mΩ@10V |
| 高度 | 4.4mm | - |
| 功率耗散Pd | 140W | 148W |
| 漏源极电压Vds | 75V | 80V |
| 输出电容 | - | 384pF |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3070pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 84nC @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 84nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFS3607TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PSMN012-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 11mΩ@10V 148W 175°C 3V 80V 74A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PSMN8R7-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 8.7mΩ@10V 170W 175°C 3V 80V 90A |
￥10.4108
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0 | 对比 | ||||
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BUK9609-75A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 9mΩ@5V,8.5mΩ@10V,9.95mΩ@4.5V 230W 175°C 1.5V 75V 75A |
￥20.4665
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0 | 对比 | ||||
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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