IRFS4310TRLPBF 与 BUK965R8-100E,118 区别
| 型号 | IRFS4310TRLPBF | BUK965R8-100E,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS4310TRLPBF | A-BUK965R8-100E,118 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7mΩ@75A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W(Tc) | 349W |
| 输出电容 | - | 725pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.7V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | SOT404 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 130A | 120A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 50V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7670pF @ 50V | - |
| 输入电容 | - | 13100pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 250nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 5.8mΩ@5V,5.6mΩ@10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7670pF @ 50V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 250nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS4310TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-2 N-Channel 269W -55°C~175°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 145 | 对比 |
|
|
BUK965R8-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 349W 175°C 1.7V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN009-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
