IRFS4321TRRPBF 与 IRFS4321TRLPBF 区别
| 型号 | IRFS4321TRRPBF | IRFS4321TRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS4321TRRPBF | A-IRFS4321TRLPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@33A,10V | 15mΩ@33A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 350W(Tc) | 350W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 连续漏极电流Id | 85A(Tc) | 85A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4460pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 800 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS4321TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 85A(Tc) ±20V 350W(Tc) 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 N-Channel 350W 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C ±30V 150V 85A |
暂无价格 | 800 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
