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IRFS4410ZTRLPBF  与  PSMN009-100B,118  区别

型号 IRFS4410ZTRLPBF PSMN009-100B,118
唯样编号 A-IRFS4410ZTRLPBF A-PSMN009-100B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 230W
输出电容 - 620pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 97A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
输入电容 - 8250pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.8mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥15.2914
400+ :  ¥12.9588
800+ :  ¥11.8888
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4410ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
BUK969R3-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R3-100E_SOT404

¥15.2386 

阶梯数 价格
210: ¥15.2386
400: ¥12.9141
800: ¥11.8478
0 对比
IPB083N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB083N10N3GATMA1_10mm TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK768R1-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-100E_SOT404

¥16.2501 

阶梯数 价格
190: ¥16.2501
400: ¥12.5001
800: ¥11.062
0 对比
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404

¥15.2914 

阶梯数 价格
210: ¥15.2914
400: ¥12.9588
800: ¥11.8888
0 对比

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