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IRFSL3206PBF  与  IPI032N06N3GAKSA1  区别

型号 IRFSL3206PBF IPI032N06N3GAKSA1
唯样编号 A-IRFSL3206PBF A-IPI032N06N3GAKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
宽度 4.83mm -
功率耗散(最大值) - 188W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ -
引脚数目 3 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 13000pF @ 30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 - TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
长度 10.67mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.2 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
正向二极管电压 1.3V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF -
高度 9.65mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 55 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
晶体管材料 Si -
Pd-功率耗散(Max) 300W -
晶体管配置 -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 118uA
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 19 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC -
正向跨导 210S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 210A 3mΩ 300W

暂无价格 0 当前型号
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI032N06N3 G_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPI032N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI032N06N3GAKSA1_-55°C~175°C(TJ) 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel 60V

暂无价格 0 对比

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