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IRFTS8342TRPBF  与  TPC6011(TE85L,F,M)  区别

型号 IRFTS8342TRPBF TPC6011(TE85L,F,M)
唯样编号 A-IRFTS8342TRPBF A-TPC6011(TE85L,F,M)
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.8 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74 MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@8.2A,10V -
产品状态 - 最后售卖
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 640 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.5V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 14 nC @ 10 V
封装/外壳 6-TSOP VS-6(2.9x2.8)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.2A 6A(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 700mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20 毫欧 @ 3A,10V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFTS8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 0 当前型号
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥4.6253 

阶梯数 价格
1: ¥4.6253
100: ¥2.6225
1,500: ¥1.6627
3,000: ¥1.2387
100 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥5.3794 

阶梯数 价格
1: ¥5.3794
100: ¥3.0502
1,500: ¥1.9338
3,000: ¥1.4407
100 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba 通用MOSFET

VS-6(2.9x2.8)

暂无价格 0 对比

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